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NTR4171PT1G

NTR4171PT1G NTR4171PT1G

Pour référence seulement

Numéro de pièce NTR4171PT1G
N ° de pièce PNEDA NTR4171PT1G
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 600 276
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NTR4171PT1G Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleNTR4171PT1G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
NTR4171PT1G, NTR4171PT1G Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 121,95 KB)
PDFNTR4171PT3G Fiche technique Couverture
NTR4171PT3G Fiche technique Page 2 NTR4171PT3G Fiche technique Page 3 NTR4171PT3G Fiche technique Page 4 NTR4171PT3G Fiche technique Page 5 NTR4171PT3G Fiche technique Page 6

NTR4171PT1G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C2.2A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs15.6nC @ 10V
Vgs (maximum)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)480mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Technologie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Type FET

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Technologie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

95A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 95A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 130µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6660pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

167W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PG-TO262-3

Paquet / Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

30A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1155pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PowerPAK® SO-8

Paquet / Caisse

PowerPAK® SO-8

AUIRFB8405

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

120A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5193pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

163W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

TO-220-3

FDD24AN06LA0

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.1A (Ta), 40A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 25V

Fonction FET

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Dissipation de puissance (max)

75W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

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Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Certificates

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