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RCD080N25TL

RCD080N25TL

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Numéro de pièce RCD080N25TL
N ° de pièce PNEDA RCD080N25TL
Fabricant Rohm Semiconductor
Description MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 24 018
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RCD080N25TL Ressources

Marque Rohm Semiconductor
Fab. Numéro d'articleRCD080N25TL
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
RCD080N25TL, RCD080N25TL Fiche technique (Nombre total de pages: 8, Taille: 622,34 KB)
PDFRCD080N25TL Fiche technique Couverture
RCD080N25TL Fiche technique Page 2 RCD080N25TL Fiche technique Page 3 RCD080N25TL Fiche technique Page 4 RCD080N25TL Fiche technique Page 5 RCD080N25TL Fiche technique Page 6 RCD080N25TL Fiche technique Page 7 RCD080N25TL Fiche technique Page 8

RCD080N25TL Spécifications

FabricantRohm Semiconductor
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)250V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C8A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (maximum)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1440pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)850mW (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurCPT3
Paquet / CaisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

76A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

304nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13566pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

595W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247-3

Paquet / Caisse

TO-247-3

PSMN009-100P,127

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Fabricant

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8250pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

230W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Paquet / Caisse

TO-220-3

IPI030N10N3GHKSA1

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Fabricant

Infineon Technologies

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PG-TO262-3

Paquet / Caisse

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

24A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2774pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

250W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

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Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3440pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

463W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

TO-263 (D²Pak)

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