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RCD080N25TL

RCD080N25TL

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Numéro de pièce RCD080N25TL
N ° de pièce PNEDA RCD080N25TL
Description MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
Fabricant Rohm Semiconductor
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En stock 24 018
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RCD080N25TL Ressources

Marque Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleRCD080N25TL
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
RCD080N25TL, RCD080N25TL Fiche technique (Nombre total de pages: 8, Taille: 622,34 KB)
PDFRCD080N25TL Fiche technique Couverture
RCD080N25TL Fiche technique Page 2 RCD080N25TL Fiche technique Page 3 RCD080N25TL Fiche technique Page 4 RCD080N25TL Fiche technique Page 5 RCD080N25TL Fiche technique Page 6 RCD080N25TL Fiche technique Page 7 RCD080N25TL Fiche technique Page 8

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  • RCD080N25TL Distributor

RCD080N25TL Spécifications

FabricantRohm Semiconductor
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)250V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C8A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (maximum)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1440pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)850mW (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurCPT3
Paquet / CaisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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300V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

88A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

600W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-227B

Paquet / Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

BFL4007-1E

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

8.7A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

680mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 30V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2W (Ta), 40W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220F-3FS

Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack

IPI030N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Micro Commercial Co

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

340mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

350mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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Fonction FET

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Dissipation de puissance (max)

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