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SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3

Pour référence seulement

Numéro de pièce SI2301CDS-T1-GE3
N ° de pièce PNEDA SI2301CDS-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 1 078 854
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SI2301CDS-T1-GE3 Ressources

Marque Vishay Siliconix
Fab. Numéro d'articleSI2301CDS-T1-GE3
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3 Fiche technique (Nombre total de pages: 9, Taille: 197,85 KB)
PDFSI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Couverture
SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 2 SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 3 SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 4 SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 5 SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 6 SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 7 SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 8 SI2301CDS-T1-E3 Fiche technique Page 9

SI2301CDS-T1-GE3 Spécifications

FabricantVishay Siliconix
SérieTrenchFET®
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)20V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C3.1A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1996pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

90W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D-Pak

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Renesas Electronics America

Fabricant

Renesas Electronics America

Série

-

Type FET

-

Technologie

-

Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

-

Package de périphérique fournisseur

-

Paquet / Caisse

-

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Série

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Type FET

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Technologie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

950V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

90W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

TO-247-3

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Série

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

400V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

120mA (Tj)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

Fonction FET

Depletion Mode

Dissipation de puissance (max)

1W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

40A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

65W (Tc)

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