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SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3

Pour référence seulement

Numéro de pièce SI4368DY-T1-E3
N ° de pièce PNEDA SI4368DY-T1-E3
Description MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Fabricant Vishay Siliconix
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En stock 2 448
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SI4368DY-T1-E3 Ressources

Marque Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleSI4368DY-T1-E3
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
SI4368DY-T1-E3, SI4368DY-T1-E3 Fiche technique (Nombre total de pages: 8, Taille: 152,37 KB)
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SI4368DY-T1-E3 Spécifications

FabricantVishay Siliconix
SérieTrenchFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C17A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds8340pF @ 15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.6W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SO
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Type FET

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1000V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

38A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

264nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

960W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-227B

Paquet / Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

5LN01SS-TL-E

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

50V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

100mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs (maximum)

±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6.6pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

150mW (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

3-SSFP

Paquet / Caisse

SC-81

NTLUS3A90PZTAG

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

µCool™

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2.6A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

600mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

6-UDFN (1.6x1.6)

Paquet / Caisse

6-PowerUFDFN

AOTF12T60P

Alpha & Omega Semiconductor

Fabricant

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Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2028pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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NTTFS5811NLTWG

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

17A (Ta), 53A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

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