SI5504DC-T1-GE3
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| Numéro de pièce | SI5504DC-T1-GE3 |
| N ° de pièce PNEDA | SI5504DC-T1-GE3 |
| Description | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| En stock | 8 460 |
| Entrepôts | Shipped from Hong Kong SAR |
| Livraison estimée | sept. 28 - oct. 3 (Choisissez la livraison accélérée) |
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SI5504DC-T1-GE3 Ressources
| Marque | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Fab. Numéro d'article | SI5504DC-T1-GE3 |
| Catégorie | Semi-conducteurs › Transistors › Transistors - FET, MOSFET - Réseaux |
| Fiche technique |
SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-GE3 Fiche technique
(Nombre total de pages: 8, Taille: 120,21 KB)
  
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SI5504DC-T1-GE3 Spécifications
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Type FET | N and P-Channel |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension de vidange vers la source (Vdss) | 30V |
| Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Caisse | 8-SMD, Flat Lead |
| Package de périphérique fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
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