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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

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Numéro de pièce SI5504DC-T1-GE3
N ° de pièce PNEDA SI5504DC-T1-GE3
Description MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Fabricant Vishay Siliconix
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En stock 8 460
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SI5504DC-T1-GE3 Ressources

Marque Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleSI5504DC-T1-GE3
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Réseaux
Fiche technique
SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-GE3 Fiche technique (Nombre total de pages: 8, Taille: 120,21 KB)
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SI5504DC-T1-GE3 Spécifications

FabricantVishay Siliconix
SérieTrenchFET®
Type FETN and P-Channel
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max1.1W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur1206-8 ChipFET™

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Fonction FET

Logic Level Gate

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Puissance - Max

2.5W

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

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Package de périphérique fournisseur

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Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonction FET

Standard

Tension de vidange vers la source (Vdss)

1000V (1kV)

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Puissance - Max

390W

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Paquet / Caisse

SP3

Package de périphérique fournisseur

SP3

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Fabricant

Série

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Type FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Fonction FET

Logic Level Gate

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Puissance - Max

6W

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-PowerLDFN

Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

Diodes Incorporated

Série

*

Type FET

-

Fonction FET

-

Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Puissance - Max

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

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Diodes Incorporated

Série

-

Type FET

2 P-Channel (Dual)

Fonction FET

Logic Level Gate

Tension de vidange vers la source (Vdss)

50V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

130mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 25V

Puissance - Max

150mW

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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