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SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3

Pour référence seulement

Numéro de pièce SIR424DP-T1-GE3
N ° de pièce PNEDA SIR424DP-T1-GE3
Description MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Fabricant Vishay Siliconix
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SIR424DP-T1-GE3 Ressources

Marque Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleSIR424DP-T1-GE3
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
SIR424DP-T1-GE3, SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique (Nombre total de pages: 13, Taille: 327,07 KB)
PDFSIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Couverture
SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 2 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 3 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 4 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 5 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 6 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 7 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 8 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 9 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 10 SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique Page 11

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SIR424DP-T1-GE3 Spécifications

FabricantVishay Siliconix
SérieTrenchFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)20V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C30A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® SO-8
Paquet / CaissePowerPAK® SO-8

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Infineon Technologies

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

6.2A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 260µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

32W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Fabricant

Diodes Incorporated

Série

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Type FET

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Technologie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

16.2A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7693pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.2W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

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Série

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Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

8.6A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

470mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

70W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Vishay Siliconix

Série

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Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.3A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (maximum)

±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V

Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max)

1.1W (Ta), 1.4W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 20V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

55W (Tc)

Température de fonctionnement

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