SIR424DP-T1-GE3
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| Numéro de pièce | SIR424DP-T1-GE3 |
| N ° de pièce PNEDA | SIR424DP-T1-GE3 |
| Description | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| En stock | 109 230 |
| Entrepôts | Shipped from Hong Kong SAR |
| Livraison estimée | juin 29 - juil. 4 (Choisissez la livraison accélérée) |
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SIR424DP-T1-GE3 Ressources
| Marque | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Fab. Numéro d'article | SIR424DP-T1-GE3 |
| Catégorie | Semi-conducteurs › Transistors › Transistors - FET, MOSFET - Simple |
| Fiche technique |
SIR424DP-T1-GE3, SIR424DP-T1-GE3 Fiche technique
(Nombre total de pages: 13, Taille: 327,07 KB)
  
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SIR424DP-T1-GE3 Spécifications
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Type FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de vidange vers la source (Vdss) | 20V |
| Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 10V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Paquet / Caisse | PowerPAK® SO-8 |
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