+86-755-83210135-208
sales@pneda.com
sales01@pneda.com
WeChat WeChat
2853858055
Envoyer un message
Des millions de pièces électroniques en stock. Prix et délais de livraison dans les 24 heures.

SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Pour référence seulement

Numéro de pièce SIS429DNT-T1-GE3
N ° de pièce PNEDA SIS429DNT-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 8 802
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Livraison estimée sept. 29 - oct. 4 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

SIS429DNT-T1-GE3 Ressources

Marque Vishay Siliconix
Fab. Numéro d'articleSIS429DNT-T1-GE3
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
SIS429DNT-T1-GE3, SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique (Nombre total de pages: 8, Taille: 160,75 KB)
PDFSIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Couverture
SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Page 2 SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Page 3 SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Page 4 SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Page 5 SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Page 6 SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Page 7 SIS429DNT-T1-GE3 Fiche technique Page 8

SIS429DNT-T1-GE3 Spécifications

FabricantVishay Siliconix
Série-
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)27.8W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® 1212-8
Paquet / CaissePowerPAK® 1212-8

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

  • Accès global

    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

Les produits qui pourraient vous intéresser

DMN2005LP4K-7

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

200mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 3V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

400mW (Ta)

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

X2-DFN1006-3

Paquet / Caisse

3-XFDFN

FDFS2P102A

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.3A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

182pF @ 10V

Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max)

900mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDMS015N04B

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

31.3A (Ta), 100A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8725pF @ 20V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-PQFN (5x6)

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN

SSM3J356R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (maximum)

+10V, -20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-23F

Paquet / Caisse

SOT-23-3 Flat Leads

NTJS4405NT4

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

25V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

1A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

630mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SC-88/SC70-6/SOT-363

Paquet / Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Certificates

Demande rapide

Ajouter au panier

Contactez-nous

Besoin d'aide?

Nhésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur {0}.

Récemment vendu

SMBJ30CA-E3/52

SMBJ30CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

FDV305N

FDV305N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

MP4560DN-LF-Z

MP4560DN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

0CNL200.V

0CNL200.V

Littelfuse

FUSE STRIP 200A 32VAC/VDC BOLT

IRF7853PBF

IRF7853PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

BNX002-01

BNX002-01

Murata

FILTER LC TH

S5BC-13-F

S5BC-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 5A SMC

LTC6363IMS8#PBF

LTC6363IMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8MSOP

MB96F683RBPMC-GSE1

MB96F683RBPMC-GSE1

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 96KB FLASH 80LQFP

ZLLS400TA

ZLLS400TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 520MA SOD323

MAX13035EETE+

MAX13035EETE+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 16TQFN