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STD6N52K3

STD6N52K3

Pour référence seulement

Numéro de pièce STD6N52K3
N ° de pièce PNEDA STD6N52K3
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 24 738
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Livraison estimée janv. 28 - févr. 2 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

STD6N52K3 Ressources

Marque STMicroelectronics
Fab. Numéro d'articleSTD6N52K3
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
STD6N52K3, STD6N52K3 Fiche technique (Nombre total de pages: 18, Taille: 437,8 KB)
PDFSTP6N52K3 Fiche technique Couverture
STP6N52K3 Fiche technique Page 2 STP6N52K3 Fiche technique Page 3 STP6N52K3 Fiche technique Page 4 STP6N52K3 Fiche technique Page 5 STP6N52K3 Fiche technique Page 6 STP6N52K3 Fiche technique Page 7 STP6N52K3 Fiche technique Page 8 STP6N52K3 Fiche technique Page 9 STP6N52K3 Fiche technique Page 10 STP6N52K3 Fiche technique Page 11

STD6N52K3 Spécifications

FabricantSTMicroelectronics
SérieSuperMESH3™
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)525V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C5A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (maximum)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)70W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK
Paquet / CaisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

55V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

25A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (maximum)

±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

57W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D-Pak

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPL65R190E6AUMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

20.2A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 700µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1620pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

151W (Tc)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-VSON-4

Paquet / Caisse

4-PowerTSFN

IPW60R165CPFKSA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

21A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 790µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

192W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PG-TO247-3

Paquet / Caisse

TO-247-3

Fabricant

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

150V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

19A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

62.5W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-HVSON (6x5)

Paquet / Caisse

8-VDFN Exposed Pad

NTLUS029N06T6TAG

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ON Semiconductor

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Type FET

-

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

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