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STF14NM50N

STF14NM50N

Pour référence seulement

Numéro de pièce STF14NM50N
N ° de pièce PNEDA STF14NM50N
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 12 132
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Livraison estimée janv. 28 - févr. 2 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

STF14NM50N Ressources

Marque STMicroelectronics
Fab. Numéro d'articleSTF14NM50N
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
STF14NM50N, STF14NM50N Fiche technique (Nombre total de pages: 18, Taille: 1 269,09 KB)
PDFSTI14NM50N Fiche technique Couverture
STI14NM50N Fiche technique Page 2 STI14NM50N Fiche technique Page 3 STI14NM50N Fiche technique Page 4 STI14NM50N Fiche technique Page 5 STI14NM50N Fiche technique Page 6 STI14NM50N Fiche technique Page 7 STI14NM50N Fiche technique Page 8 STI14NM50N Fiche technique Page 9 STI14NM50N Fiche technique Page 10 STI14NM50N Fiche technique Page 11

STF14NM50N Spécifications

FabricantSTMicroelectronics
SérieMDmesh™ II
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)500V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C12A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Vgs (maximum)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds816pF @ 50V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)25W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220FP
Paquet / CaisseTO-220-3 Full Pack

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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  • Accès global

    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

145A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6195pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

153W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

16A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 10A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±18V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 480V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

81W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Paquet / Caisse

TO-220-3

FQPF19N20CYDTU

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

19A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

43W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220F-3 (Y-Forming)

Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

IRF1312PBF

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Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

80V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

95A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 57A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5450pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.8W (Ta), 210W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.5A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (maximum)

±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

479pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

900mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

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