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STL16N60M2

STL16N60M2

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Numéro de pièce STL16N60M2
N ° de pièce PNEDA STL16N60M2
Description MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
Fabricant STMicroelectronics
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En stock 7 272
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Livraison estimée sept. 28 - oct. 3 (Choisissez la livraison accélérée)
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STL16N60M2 Ressources

Marque STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleSTL16N60M2
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
STL16N60M2, STL16N60M2 Fiche technique (Nombre total de pages: 15, Taille: 467,58 KB)
PDFSTL16N60M2 Fiche technique Couverture
STL16N60M2 Fiche technique Page 2 STL16N60M2 Fiche technique Page 3 STL16N60M2 Fiche technique Page 4 STL16N60M2 Fiche technique Page 5 STL16N60M2 Fiche technique Page 6 STL16N60M2 Fiche technique Page 7 STL16N60M2 Fiche technique Page 8 STL16N60M2 Fiche technique Page 9 STL16N60M2 Fiche technique Page 10 STL16N60M2 Fiche technique Page 11

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STL16N60M2 Spécifications

FabricantSTMicroelectronics
SérieMDmesh™ M2
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)600V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C8A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs355mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (maximum)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds704pF @ 100V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)52W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerFlat™ (5x6) HV
Paquet / Caisse8-PowerVDFN

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

850V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

540W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247

Paquet / Caisse

TO-247-3

RTL035N03TR

Rohm Semiconductor

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.5A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

6-SMD, Flat Leads

3LN01S-K-TL-E

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Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

-

Technologie

-

Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SMCP

Paquet / Caisse

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Diodes Incorporated

Série

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

120mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.6V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

500mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

E-Line (TO-92 compatible)

Paquet / Caisse

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 26.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)

Température de fonctionnement

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