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STL16N60M2

STL16N60M2

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Numéro de pièce STL16N60M2
N ° de pièce PNEDA STL16N60M2
Description MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
Fabricant STMicroelectronics
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En stock 7 272
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STL16N60M2 Ressources

Marque STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleSTL16N60M2
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
STL16N60M2, STL16N60M2 Fiche technique (Nombre total de pages: 15, Taille: 467,58 KB)
PDFSTL16N60M2 Fiche technique Couverture
STL16N60M2 Fiche technique Page 2 STL16N60M2 Fiche technique Page 3 STL16N60M2 Fiche technique Page 4 STL16N60M2 Fiche technique Page 5 STL16N60M2 Fiche technique Page 6 STL16N60M2 Fiche technique Page 7 STL16N60M2 Fiche technique Page 8 STL16N60M2 Fiche technique Page 9 STL16N60M2 Fiche technique Page 10 STL16N60M2 Fiche technique Page 11

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STL16N60M2 Spécifications

FabricantSTMicroelectronics
SérieMDmesh™ M2
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)600V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C8A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs355mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (maximum)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds704pF @ 100V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)52W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerFlat™ (5x6) HV
Paquet / Caisse8-PowerVDFN

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Fabricant

Rohm Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.5A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

TUMT6

Paquet / Caisse

6-SMD, Flat Leads

IXFH20N85X

IXYS

Fabricant

IXYS

Série

HiPerFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

850V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

540W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247

Paquet / Caisse

TO-247-3

Fabricant

IXYS

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

150V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

400A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

430nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14500pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1500W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PLUS247™

Paquet / Caisse

TO-247-3

IRFR014TRPBF

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Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.7A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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Fonction FET

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Dissipation de puissance (max)

198W (Tc)

Température de fonctionnement

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