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STL16N60M2

STL16N60M2

Pour référence seulement

Numéro de pièce STL16N60M2
N ° de pièce PNEDA STL16N60M2
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 7 272
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STL16N60M2 Ressources

Marque STMicroelectronics
Fab. Numéro d'articleSTL16N60M2
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
STL16N60M2, STL16N60M2 Fiche technique (Nombre total de pages: 15, Taille: 467,58 KB)
PDFSTL16N60M2 Fiche technique Couverture
STL16N60M2 Fiche technique Page 2 STL16N60M2 Fiche technique Page 3 STL16N60M2 Fiche technique Page 4 STL16N60M2 Fiche technique Page 5 STL16N60M2 Fiche technique Page 6 STL16N60M2 Fiche technique Page 7 STL16N60M2 Fiche technique Page 8 STL16N60M2 Fiche technique Page 9 STL16N60M2 Fiche technique Page 10 STL16N60M2 Fiche technique Page 11

STL16N60M2 Spécifications

FabricantSTMicroelectronics
SérieMDmesh™ M2
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)600V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C8A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs355mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (maximum)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds704pF @ 100V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)52W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerFlat™ (5x6) HV
Paquet / Caisse8-PowerVDFN

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 26.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Série

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

950V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

38A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3480pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

450W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Série

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

800V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.2A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

198W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-3P

Paquet / Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

150V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

400A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

430nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14500pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1500W (Tc)

Température de fonctionnement

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

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Vgs (maximum)

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Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

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Type de montage

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