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STPS5L60SY

STPS5L60SY

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Numéro de pièce STPS5L60SY
N ° de pièce PNEDA STPS5L60SY
Description DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC
Fabricant STMicroelectronics
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En stock 52 362
Entrepôts Shipped from Hong Kong SAR
Livraison estimée sept. 30 - oct. 5 (Choisissez la livraison accélérée)
Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

STPS5L60SY Ressources

Marque STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleSTPS5L60SY
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursRedresseurs - Simple
Fiche technique
STPS5L60SY, STPS5L60SY Fiche technique (Nombre total de pages: 7, Taille: 175,97 KB)
PDFSTPS5L60SY Fiche technique Couverture
STPS5L60SY Fiche technique Page 2 STPS5L60SY Fiche technique Page 3 STPS5L60SY Fiche technique Page 4 STPS5L60SY Fiche technique Page 5 STPS5L60SY Fiche technique Page 6 STPS5L60SY Fiche technique Page 7

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STPS5L60SY Spécifications

FabricantSTMicroelectronics
SérieQ Automotive
Type de diodeSchottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)60V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si520mV @ 5A
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)-
Courant - Fuite inverse @ Vr220µA @ 60V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / CaisseDO-214AB, SMC
Package de périphérique fournisseurSMC
Température de fonctionnement - Jonction-40°C ~ 150°C

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6A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.3V @ 40V

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

500ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

-

Capacité @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

R6, Axial

Package de périphérique fournisseur

R-6

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

SF808G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

-

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

600V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

8A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.7V @ 8A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

35ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

10µA @ 600V

Capacité @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-220-3

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

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Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Série

-

Type de diode

Standard, Reverse Polarity

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

1000V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

6A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.4V @ 6A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

500ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

25µA @ 50V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Chassis, Stud Mount

Paquet / Caisse

DO-203AA, DO-4, Stud

Package de périphérique fournisseur

DO-4

Température de fonctionnement - Jonction

-65°C ~ 150°C

VT1080SHM3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

Automotive, AEC-Q101

Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

80V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

10A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

810mV @ 10A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

600µA @ 80V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-220-3

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

V12P15-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

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Type de diode

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Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

150V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

12A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.08V @ 12A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

250µA @ 150V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

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Package de périphérique fournisseur

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