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TPC8067-H,LQ(S

TPC8067-H,LQ(S

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Numéro de pièce TPC8067-H,LQ(S
N ° de pièce PNEDA TPC8067-H-LQ-S
Description MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
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En stock 5 004
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TPC8067-H Ressources

Marque Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleTPC8067-H,LQ(S
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple

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TPC8067-H Spécifications

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
SérieU-MOSVII-H
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C9A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOP
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSIV

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

20A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

45W (Tc)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220SIS

Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack

IRF7603TR

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

5.6A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

Micro8™

Paquet / Caisse

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

STD170N4F7AG

STMicroelectronics

Fabricant

STMicroelectronics

Série

Automotive, AEC-Q101, STripFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

172W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

DPAK

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fabricant

IXYS

Série

HiPerFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

70A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3150pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

690W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

TO-268

Paquet / Caisse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Fabricant

IXYS

Série

HiPerFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

85V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

180A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

560W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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