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TPC8067-H,LQ(S

TPC8067-H,LQ(S

Pour référence seulement

Numéro de pièce TPC8067-H,LQ(S
N ° de pièce PNEDA TPC8067-H-LQ-S
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 278
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TPC8067-H Ressources

Marque Toshiba Semiconductor and Storage
Fab. Numéro d'articleTPC8067-H,LQ(S
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple

TPC8067-H Spécifications

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
SérieU-MOSVII-H
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C9A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOP
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

5.6A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

Micro8™

Paquet / Caisse

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Fabricant

IXYS

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

150V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

120A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

172W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

DPAK

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fabricant

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

85V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

180A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

560W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

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Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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Fonction FET

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Dissipation de puissance (max)

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