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US6K1TR

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Numéro de pièce US6K1TR
N ° de pièce PNEDA US6K1TR
Fabricant Rohm Semiconductor
Description MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 121
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US6K1TR Ressources

Marque Rohm Semiconductor
Fab. Numéro d'articleUS6K1TR
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Réseaux

US6K1TR Spécifications

FabricantRohm Semiconductor
Série-
Type FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Puissance - Max1W
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse6-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseurTUMT6

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonction FET

Logic Level Gate

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Puissance - Max

1.4W

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

PowerPAK® SO-8 Dual

Package de périphérique fournisseur

PowerPAK® SO-8 Dual

AO5803E

Alpha & Omega Semiconductor

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

-

Type FET

2 P-Channel (Dual)

Fonction FET

Logic Level Gate

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V

Puissance - Max

400mW

Température de fonctionnement

-50°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 10mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

620nC @ 15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 800V

Puissance - Max

20mW

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Paquet / Caisse

Module

Package de périphérique fournisseur

Module

EMH2407-S-TL-H

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

-

Fonction FET

-

Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Puissance - Max

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SMD, Flat Lead

Package de périphérique fournisseur

8-EMH

FDC6302P

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

2 P-Channel (Dual)

Fonction FET

Logic Level Gate

Tension de vidange vers la source (Vdss)

25V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

120mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V

Puissance - Max

700mW

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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