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XP151A11B0MR-G

XP151A11B0MR-G

Pour référence seulement

Numéro de pièce XP151A11B0MR-G
N ° de pièce PNEDA XP151A11B0MR-G
Fabricant Torex Semiconductor Ltd
Description MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 2 070
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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XP151A11B0MR-G Ressources

Marque Torex Semiconductor Ltd
Fab. Numéro d'articleXP151A11B0MR-G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
XP151A11B0MR-G, XP151A11B0MR-G Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 294,17 KB)
PDFXP151A11B0MR-G Fiche technique Couverture
XP151A11B0MR-G Fiche technique Page 2 XP151A11B0MR-G Fiche technique Page 3 XP151A11B0MR-G Fiche technique Page 4 XP151A11B0MR-G Fiche technique Page 5

XP151A11B0MR-G Spécifications

FabricantTorex Semiconductor Ltd
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C1A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)500mW (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

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  • Accès global

    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

25A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3540pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

20-FLFBGA (3.55x4)

Paquet / Caisse

20-FLFBGA (30 pos)

AOSP66923

Alpha & Omega Semiconductor

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

12A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Fabricant

Diodes Incorporated

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9.8A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V

Vgs (maximum)

±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 30V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.25W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

150V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

400A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

909W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2.5A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

56.8W (Tc)

Température de fonctionnement

-50°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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